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普渡大學(xué)西拉法葉分校 | 晶體管被重新用作微芯片“時鐘”解決了供應(yīng)鏈的弱點
指南者留學(xué) 2023-03-28 21:41:00 閱讀量:1144
<p>美國西拉斐特(WEST LAFAYETTE,Ind.)&mdash;&mdash;美國的微芯片制造廠可以在一塊微小的硅芯片上塞滿數(shù)十億個數(shù)據(jù)處理晶體管,但關(guān)鍵設(shè)備,本質(zhì)上是一個&ldquo;時鐘&rdquo;,用于計時這些晶體管的操作,必須單獨制造,這在芯片安全性和供應(yīng)線方面造成了一個弱點。一種新方法使用商業(yè)芯片制造廠材料和技術(shù)制造專用晶體管,作為該定時裝置的構(gòu)建塊,解決了弱點,并通過增強(qiáng)集成實現(xiàn)了新功能。</p> <p>&nbsp;</p> <p>&ldquo;你可以用一個芯片代替多個芯片來做所有事情,多種制造方法和多種材料必須集成在一起&mdash;&mdash;通常是在海外,&rdquo;他說 達(dá)娜&middot;溫斯坦,一個普渡大學(xué)的教授電氣與計算機(jī)工程他正在開發(fā)聲學(xué)諧振器,其工藝用于生產(chǎn)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的鰭場效應(yīng)晶體管(FinFET)。&ldquo;美國有必要提高其芯片制造能力,這種性質(zhì)的進(jìn)步解決了供應(yīng)鏈、國家安全和硬件安全方面的多個問題。通過將整個時鐘移動到處理器內(nèi)部,可以增強(qiáng)設(shè)備的抗時鐘鎖定攻擊能力,并啟用聲學(xué)等新功能用于篡改檢測的封裝芯片的ic指紋。&rdquo;</p> <p>&nbsp;</p> <p>與所有晶體管(支撐現(xiàn)代微電子技術(shù)的器件)一樣,F(xiàn)inFET是一個電壓激活的開/關(guān)柵極。顧名思義,F(xiàn)inFET沿著流經(jīng)柵極的半導(dǎo)體材料翅片傳遞電流。在關(guān)閉狀態(tài)下,翅片不導(dǎo)電。施加在柵極頂部的電壓在翅片中形成電荷,使電流以開放或開啟狀態(tài)流動。</p> <p>&nbsp;</p> <p>但晶體管必須同步才能對所有電子設(shè)備中使用的微處理器、傳感器和無線電進(jìn)行操作。這樣做的設(shè)備是建立在聲音的基礎(chǔ)上的,聲音是一些結(jié)構(gòu)發(fā)出的共振頻率,就像玻璃碗發(fā)出的聲音一樣。這種所謂的聲學(xué)諧振器的規(guī)則重復(fù)波作為一種韻律,被納入更大的微電子機(jī)械系統(tǒng)中,并用于標(biāo)記時間。目前的商用微電子機(jī)械諧振器不能用標(biāo)準(zhǔn)芯片制造工藝制造,必須單獨制造,然后與微芯片捆綁使用。</p> <p>&nbsp;</p> <p>溫斯坦的創(chuàng)新是利用標(biāo)準(zhǔn)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體芯片廠現(xiàn)有的材料和制造技術(shù)建造一個聲諧振器。在最近的一篇論文中自然電子她的研究團(tuán)隊報告了其迄今為止最先進(jìn)的設(shè)計。使用在紐約GlobalFoundries Fab 8工廠運(yùn)行的商業(yè)流程,并在GlobalFoodries 14LPP FinFET技術(shù)設(shè)計手冊中進(jìn)行了描述,團(tuán)隊成員制造了一組能夠產(chǎn)生8-12個頻率范圍的專用FinFET&thinsp;這超過了微處理器的典型本機(jī)時鐘頻率。</p> <p>&nbsp;</p> <p>這個優(yōu)雅的解決方案本質(zhì)上是將數(shù)據(jù)處理晶體管重新調(diào)整為定時設(shè)備。</p> <p>&nbsp;</p> <p>普渡大學(xué)電氣與計算機(jī)工程研究生、《自然電子》論文第一作者杰克遜&middot;安德森(Jackson Anderson)表示:&ldquo;按照我們的方法,芯片制造商通過與計算機(jī)中央處理單元或其他應(yīng)用程序相同的過程來運(yùn)行該設(shè)備。&rdquo;。&ldquo;當(dāng)微處理器和其他組件完成后,諧振器也完成了。它不需要進(jìn)行進(jìn)一步的制造,也不需要被送到其他地方與單獨的微處理器芯片集成。&rdquo;</p> <p>&nbsp;</p> <p>雖然晶體管的開或關(guān)狀態(tài)通常將電流引導(dǎo)為二進(jìn)制碼的0和1,但所有晶體管也可用作電容器來存儲和釋放電荷。溫斯坦的團(tuán)隊正是通過&ldquo;驅(qū)動&rdquo;晶體管陣列來實現(xiàn)這一點,擠壓并釋放出翅片和柵極之間的一薄層電介質(zhì)材料。</p> <p>&nbsp;</p> <p>杰克遜說:&ldquo;我們正在擠壓柵極和半導(dǎo)體之間的那些層,推拉柵極和鰭片之間的薄區(qū)域。&rdquo;。&ldquo;我們在相鄰的晶體管上交替進(jìn)行這一操作&mdash;&mdash;一個壓縮,一個拉伸&mdash;&mdash;在設(shè)備中建立橫向振動。&rdquo;</p> <p>&nbsp;</p> <p>驅(qū)動晶體管的尺寸可以引導(dǎo)和放大振動,使其自身形成特定的共振頻率。這反過來又會拉伸和壓縮相鄰&ldquo;感測&rdquo;晶體管組中的半導(dǎo)體材料,從而改變這些晶體管中電流的特性,將振動轉(zhuǎn)化為電信號。</p> <p>&nbsp;</p> <p>Weinstein說:&ldquo;你擁有的每一塊高性能電子器件都使用FinFET。&rdquo;。&ldquo;集成這些功能不僅可以提高數(shù)字微處理器的微電子能力。如果技術(shù)發(fā)生變化,我們可以適應(yīng),但我們將朝著集成微處理器系統(tǒng)的方向發(fā)展。&rdquo;</p> <p>&nbsp;</p> <blockquote> <p>注:本文由院校官方新聞直譯,僅供參考,不代表指南者留學(xué)態(tài)度觀點。</p> </blockquote>
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